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測量范圍 |
電阻率:0.001~200Ω.cm(可擴展); 方塊電阻:0.01~2000Ω/□(可擴展); 電導率:0.005~1000 s/cm; 電阻:0.001~200Ω.cm;
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可測晶片直徑 |
140mmX150mm(配S-2A型測試臺); 200mmX200mm(配S-2B型測試臺); 400mmX500mm(配S-2C型測試臺); |
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恒流源 |
電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔,各檔電流連續可調 |
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數字電壓表 |
量程及表示形式:000.00~199.99mV; 分辨力:10μV; 輸入阻抗:>1000MΩ; 精度:±0.1% ; 顯示:四位半紅色發光管數字顯示;極性、超量程自動顯示; |
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四探針探頭基本指標 |
間距:1±0.01mm; 針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 機械游移率:≤0.3%; 探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm; 探針壓力:5~16 牛頓(總力); |
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模擬電阻測量相對誤差 ( 按JJG508-87進行) |
0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
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整機測量最大相對誤差 |
(用硅標樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5% |
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標準使用環境 |
溫度:23±2℃; 相對濕度:≤65%; 無高頻干擾; 無強光直射; |